纯度多晶硅,拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年,米国制成了全球第一支半导体激光器;华夏拉制出砷化镓gs单晶,为研究制备化合物半导体器件建立了基础,也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩;还是在这一年,华夏研究制成硅外延工艺,并开始采用照相制版、光刻工艺。
1963年,华夏研制成功第一支半导体激光器,是全球第二个具备这种能力的国家仅仅比米国晚了一年。
1965年,华夏研制成功第一个硅基集成电路样品31,这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容,相比米国晚7年。
1966年,109厂与魔都光学仪器厂协作,研制成功第一台65型接触式光刻机,这与米国的gc公司几乎同时。
也在这一年,ib公司托马斯沃森研究中心的研究人员,时年34岁的罗伯特登纳德博士提出了用金属氧化物半导体os晶体管,来制作存储器芯片的设想,同年研发成功11c结构一个晶体管加一个电容的dr,并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bidr;1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1kdr。
还是在这一年,华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅os场效应晶体管;在江南省,南通晶体管厂成立,并在经过50多年的发展后,成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一,也就是后来的通富微电,上市后股票代码002156。
1968年,从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司,如果没有谭振华的乱入,它将成长为全球最大的,同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘;而在华夏的这一年,魔都无线电十四厂研制成功首个os电路osic,拉开了华夏发展os电路的序幕,还是在这一年,华夏永川半导体研究所正式成立,这是华夏唯一的模拟集成电路研究所,后来,这家研究所发展成为电子部4024研究所。
1969年,华夏国营永红器材厂749厂成立,1995年整体调迁至天水,多年后,它将成长为另一家国际封测巨头,也就是华天科技,上市后股票代码002185。
1970年,英特尔公司推出首款可大规模生产的1kdr芯片c1103,使得1bi只要1美分,从此开创了dr时代。也是在这一年,华夏集成电路产业年产量首次超过100万块,这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。
1972年,江阴晶体管厂成立,这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头,也就是长电科技,上市后股票代码600584。
如果按照谭振华重生那年的市占率来算,
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